ETCHING GLASS AND GLASS CERAMIC MATERIALS IN HYDROXIDE CONTAINING MOLTEN SALT

A method of etching a substrate comprises: contacting a substrate having a thickness with an etchant disposed in a vessel for a period of time until the thickness has reduced by at least 2 µm and at an average rate of 1 µm per minute to 6.7 µm per minute, the etchant having a temperature of 170 °C t...

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Hauptverfasser: JIN, Yuhui, FAHEY, Albert Joseph
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method of etching a substrate comprises: contacting a substrate having a thickness with an etchant disposed in a vessel for a period of time until the thickness has reduced by at least 2 µm and at an average rate of 1 µm per minute to 6.7 µm per minute, the etchant having a temperature of 170 °C to 300 °C and comprising a molten mixture of two or more alkali hydroxides; and ceasing contacting the substrate with the etchant. The etchant in some instances comprises a molten mixture of NaOH and KOH. For example, the etchant in some instances includes a molten mixture of 24 wt.% to 72 wt.% NaOH, and 76 wt.% to 28 wt.% KOH. In some instances, the method alters the weight percentage of Na+, K+ and Li+ in the composition of the surface of the substrate by less than 1%. Selon l'invention, un procédé de gravure d'un substrat consiste : à mettre en contact un substrat ayant une certaine épaisseur avec un agent de gravure disposé dans un récipient pendant une période de temps jusqu'à ce que l'épaisseur soit réduite d'au moins 2 µm et à une vitesse moyenne de 1 µm par minute à 6,7 µm par minute, l'agent de gravure ayant une température comprise entre 170 °C et 300 °C et comprenant un mélange fondu de deux hydroxydes alcalins ou plus ; et à arrêter la mise en contact du substrat avec l'agent de gravure. L'agent de gravure, dans certains cas, comprend un mélange fondu de NaOH et de KOH. Par exemple, l'agent de gravure, dans certains cas, comprend un mélange fondu de 24 % en poids à 72 % en poids de NaOH, et de 76 % en poids à 28 % en poids de KOH. Dans certains cas, le procédé modifie le pourcentage en poids de Na+, K+ et de Li+ dans la composition de la surface du substrat de moins de 1 %.