SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE WITH IN-LINE HOTSPOT DETECTION

Controlling semiconductor device manufacture by acquiring training scatterometric signatures collected at training locations on training semiconductor wafers and corresponding to locations within a predefined design of a training semiconductor device, the training signatures collected after predefined processing steps during manufacture of the device on the training wafers, acquiring manufacturing outcome data associated with the training locations, training a prediction model using the training signatures and the manufacturing outcome data, and applying the prediction model to a candidate scatterometric signature to predict a manufacturing outcome, the candidate signature collected at a candidate location on a candidate semiconductor wafer, the candidate location corresponding to a location within the same predefined design of a candidate semiconductor device, the candidate signature collected after any of the processing steps during manufacture of the candidate device on the candidate wafer. L'invention concerne la commande de la fabrication de dispositif à semi-conducteur par l'acquisition de signatures de diffusiométrie d'apprentissage collectées au niveau d'emplacements d'apprentissage sur des tranches de semi-conducteur d'apprentissage et correspondant à des emplacements à l'intérieur d'une conception prédéfinie d'un dispositif à semi-conducteur d'apprentissage, les signatures d'apprentissage collectées après des étapes de traitement prédéfinies pendant la fabrication du dispositif sur les tranches d'apprentissage, l'acquisition de données de résultat de fabrication associées aux emplacements d'apprentissage, l'entrainement d'un modèle de prédiction à l'aide des signatures d'apprentissage et des données de résultat de fabrication, et l'application du modèle de prédiction à une signature de diffusiométrie candidate pour prédire un résultat de fabrication, la signature candidate collectée au niveau d'un emplacement candidat sur une tranche de semi-conducteur candidate, l'emplacement candidat correspondant à un emplacement dans la même conception prédéfinie d'un dispositif à semi-conducteur candidat, la signature candidate collectée après l'une quelconque des étapes de traitement pendant la fabrication du dispositif candidat sur la tranche candidate.