SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device comprises a substrate body (2) with a surface (3), a conductor (5) comprising a conductor material (5a) covering at least part of the surface (3), and a dielectric (4) that is arranged on a part of the surface (3) that is not covered by the conductor (5). Therein, the conducto...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ROHRACHER, Karl, BALAN, Viorel, HOFRICHTER, Jens, FOURNEL, Frank, JOUVE, Amandine, KASCHOWITZ, Manuel, CROORE, Romain, POELZL, Bernhard, MAITREJEAN, Sylvain
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor device comprises a substrate body (2) with a surface (3), a conductor (5) comprising a conductor material (5a) covering at least part of the surface (3), and a dielectric (4) that is arranged on a part of the surface (3) that is not covered by the conductor (5). Therein, the conductor (5) is in contact with the substrate body (2), the conductor (5) and the dielectric (4) form a layer (8), and a bonding surface (6) of the layer (8) has surface topographies of less than 10 nm, with the bonding surface (6) facing away from the substrate body (2). Moreover, the semiconductor device (1) is free of a diffusion barrier. La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un corps de substrat (2) ayant une surface (3), un conducteur (5) comprenant un matériau conducteur (5a) recouvrant au moins une partie de la surface (3), et un diélectrique (4) qui est disposé sur une partie de la surface (3) qui n'est pas recouverte par le conducteur (5). Le conducteur (5) est en contact avec le corps de substrat (2), le conducteur (5) et le diélectrique (4) forment une couche (8), et une surface de liaison (6) de la couche (8) présente des topographies de surface inférieures à 10 nm, la surface de liaison (6) étant opposée au corps de substrat (2). De plus, le dispositif semi-conducteur (1) est dépourvu d'une barrière de diffusion.