TAPE FOR ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF PROCESSING ELECTRONIC COMPONENT

Provided are a tape for an electronic component and a method of processing an electronic component, which can sufficiently follow a semiconductor wafer having a bump with a large height and can prevent a dimple from occurring on the ground surface of the semiconductor wafer. The tape 1 for an electronic component according to the present invention is characterized in that the tape 1 has at least one resin layer 3, the resin layer 3 has a storage modulus of 10000 to 200000 Pa at any temperature of 60℃ to 80℃, and the melt flow rate is 10 g/10 min to 200 g/10 min. L'invention concerne une bande pour un composant électronique et un procédé de traitement d'un composant électronique, qui peut suivre suffisamment une tranche de semi-conducteur ayant une bosse de grande hauteur et peut empêcher une alvéole de se produire sur la surface de sol de la tranche de semi-conducteur. La bande 1 pour un composant électronique selon la présente invention est caractérisée en ce que la bande 1 comporte au moins une couche de résine 3, la couche de résine 3 a un module de stockage de 10 000 à 200 000 Pa à n'importe quelle température de 60 °C à 80 °C, et le débit de fusion est de 10 g/10 min à 200 g/10 min. 高さが大きなバンプを有する半導体ウエハに対しても十分に追従させることができるとともに、半導体ウエハ研削面にディンプルが発生するのを防止することができる電子部品用テープおよび電子部品の加工方法を提供する。本願発明による電子部品用テープ１は、少なくとも1層の樹脂層３を有し、樹脂層３は、貯蔵弾性率が６０℃～８０℃のいずれかの温度において１００００～２０００００Ｐａであり、メルトフローレートが１０～２００ｇ/１０ｍｉｎであることを特徴とする。