OPTOELECTRONIC DEVICE, PHOTONIC DETECTOR AND METHOD OF PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE

An optoelectronic device comprises a first semiconductor layer (1) of a first conductivity having a front side (11) and a backside (12). A second semiconductor layer (2) of a second conductivity is arranged on the front side (11) of the first semiconductor layer (1), and further comprises a first se...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FITZI, Andreas, DENIER, Urs
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	An optoelectronic device comprises a first semiconductor layer (1) of a first conductivity having a front side (11) and a backside (12). A second semiconductor layer (2) of a second conductivity is arranged on the front side (11) of the first semiconductor layer (1), and further comprises a first semiconductor region (21) and a second semiconductor region (22) forming a photodiode (23) in the second semiconductor layer (2). A signal path (5) electrically connects the photodiode (23) to a fixed potential. L'invention concerne un dispositif optoélectronique comprenant une première couche semi-conductrice (1) d'une première conductivité ayant un côté avant (11) et un côté arrière (12). Une seconde couche semi-conductrice (2) d'une seconde conductivité est disposée sur le côté avant (11) de la première couche semi-conductrice (1), et comprend en outre une première région semi-conductrice (21) et une seconde région semi-conductrice (22) formant une photodiode (23) dans la seconde couche semi-conductrice (2). Un trajet de signal (5) connecte électriquement la photodiode (23) à un potentiel fixe.