MONOLITHIC POST COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR INTEGRATION OF THERMOELECTRIC-BASED INFRARED DETECTOR

A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device embedded with micro-electro-mechanical system (MEMS) components in a MEMS region is disclosed. The MEMS components, for example, are infrared (IR) thermosensors. The MEMS sensors are integrated on the CMOS device monolithically after CMOS processing. For example, the MEMS sensors are formed over a BEOL dielectric of a CMOS device. The device is encapsulated with a CMOS compatible IR transparent cap to hermetically seal the MEMS sensors in the MEMS region. L'invention concerne un dispositif semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) intégré dans des composants de système microélectromécanique (MEMS) dans une région MEMS. Les composants MEMS, par exemple, sont des thermocapteurs infrarouges (IR). Les capteurs MEMS sont intégrés sur le dispositif CMOS de façon monolithique après un traitement CMOS. Par exemple, les capteurs MEMS sont formés sur un diélectrique BEOL d'un dispositif CMOS. Le dispositif est encapsulé avec un capuchon transparent aux IR compatible avec le CMOS de sorte à sceller hermétiquement les capteurs MEMS dans la région MEMS.