POLYCRYSTALLINE SILICON MATERIAL

This polycrystalline silicon material is for producing monocrystalline silicon and includes multiple polycrystalline silicon ingots, and is characterized in that, when the total concentration of donor elements present in a bulk of the polycrystalline silicon material is defined as Cd1 [ppta], the total concentration of acceptor elements present in the bulk of the polycrystalline silicon material is defined as Ca1 [ppta], the total concentration of donor elements present in the surface of the polycrystalline silicon material is defined as Cd2 [ppta], and the total concentration of acceptor elements present in the surface of the polycrystalline silicon material is defined as Ca2 [ppta], Cd1, Ca1, Cd2, and Ca2 satisfy the relation 5 [ppta] ≤ (Ca1+Ca2)-(Cd1+Cd2) ≤ 26 [ppta]. Ce matériau en silicium polycristallin est destiné à produire du silicium monocristallin et comprend de multiples lingots de silicium polycristallin, et est caractérisé en ce que, lorsque la concentration totale en éléments donneurs présents dans un volume du matériau en silicium polycristallin est définie comme Cd1 [ppta], la concentration totale en éléments accepteurs présents dans le volume du matériau en silicium polycristallin est définie comme Ca1 [ppta], la concentration totale en éléments donneurs présents dans la surface du matériau en silicium polycristallin est définie comme Cd2 [ppta], et la concentration totale en éléments accepteurs présents dans la surface du matériau en silicium polycristallin est définie comme Ca2 [ppta], Cd1, Ca1, Cd2 et Ca2 satisfont La relation 5 [ppta] ≤ (Ca1 + Ca2) - (Cd1 + Cd2) ≤ 26 [ppta]. 複数の多結晶シリコン塊を含む単結晶シリコン製造用多結晶シリコン原料であって、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料のバルク内に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ１［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するドナー元素の合計濃度をＣｄ２［ｐｐｔａ］とし、多結晶シリコン原料の表面に存在するアクセプター元素の合計濃度をＣａ２［ｐｐｔａ］としたときに、Ｃｄ１、Ｃａ１、Ｃｄ２およびＣａ２が、５［ｐｐｔａ］≦（Ｃａ１＋Ｃａ２）－（Ｃｄ１＋Ｃｄ２）≦２６［ｐｐｔａ］である関係を満足することを特徴とする多結晶シリコン原料である。