ETCH STOP LAYER

Disclosed are methods for the formation of silicon nitride (SiN) on only the horizontal surfaces of structures such as 3D NAND staircase. This allows for thicker landing pads for subsequently formed vias. In some embodiments, the methods involve deposition of a SiN layer over a staircase followed by a treatment to selectively densify the SiN layer on the horizontal surfaces with respect to the sidewall surfaces. A wet etch is then performed to remove SiN from the sidewall surfaces. The selective treatment results in significantly different wet etch rates (WERs) between the horizontal surfaces and the sidewalls. L'invention concerne des procédés de formation de nitrure de silicium (SiN) sur seulement les surfaces horizontales de structures telles qu'un escalier NON-ET 3D. Ceci permet d'obtenir des pastilles de connexion plus épaisses pour des trous d'interconnexion formés ultérieurement. Dans certains modes de réalisation, les procédés impliquent le dépôt d'une couche de SiN sur un escalier suivi d'un traitement pour densifier sélectivement la couche de SiN sur les surfaces horizontales par rapport aux surfaces de paroi latérale. Une gravure humide est ensuite effectuée pour retirer la SiN des surfaces de paroi latérale. Le traitement sélectif permet d'obtenir des vitesses de gravure humide (WER) significativement différentes entre les surfaces horizontales et les parois latérales.