COMPOSITION FOR ETCHING LAMINATE OF TITANIUM NITRIDE FILM AND TUNGSTEN FILM AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

The present invention relates to a composition for etching a laminate of a titanium nitride film and a tungsten film, which maintains certain selectivity and does not exhibit a reduced etching rate in a high-temperature process in a method for manufacturing a semiconductor device even after long-term use, and has an excellent lifetime, the composition comprising a silane inorganic acid salt prepared by reacting a silane compound with phosphoric acid, nitric acid, and an inorganic acid and optionally further comprising a chelating agent. La présente invention concerne une composition destinée à la gravure d'un stratifié d'un film de nitrure de titane et d'un film de tungstène, qui maintient une certaine sélectivité et ne présente pas une vitesse de gravure réduite dans un traitement à haute température dans un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs même après une utilisation de longue durée, et présente une excellente durée de vie, la composition comprenant un sel de silane et d'acide inorganique préparé par réaction d'un composé silane avec de l'acide phosphorique, de l'acide nitrique, et un acide inorganique, et éventuellement comprenant en outre un agent chélatant. 본 발명은 인산, 질산 및 무기산과 실란화합물을 반응시켜 제조된 실란무기산염을 포함하고 선택적으로 킬레이트제를 더 포함하는 식각용 조성물로서, 반도체소자의 제조공정에서 고온공정에서 장시간 사용시에도 일정한 선택비를 유지하고 식각속도의 저하가 없으며, 우수한 Life-time을 갖는 질화티타늄막 및 텅스텐 적층체 식각용 조성물에 관한 것이다.