SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM

Provided is a technology configured such that a pressure controller: fully opens a first pressure adjustment valve disposed in a bypass line and reduces the pressure in a processing chamber wherein a substrate is processed from atmospheric pressure to a second prescribed pressure; adjusts the degree of opening of the first pressure adjustment valve and maintains the second prescribed pressure; fully opens the first pressure adjustment valve and reduces the pressure in the processing chamber to a first prescribed pressure which is lower than the second prescribed pressure; at the time at which the first prescribed pressure is reached, detects the pressure in the processing chamber in a state of at least the first pressure adjustment valve and a second pressure adjustment valve disposed in an exhaust line being closed for a first prescribed time; fully opens the second pressure adjustment valve and reduces the pressure in the processing chamber to a third prescribed pressure; and adjusts the degree of opening of the second pressure adjustment valve and maintains a processing pressure at which the substrate is processed. L'invention porte sur une technologie configurée de telle sorte qu'un contrôleur de pression effectue les opérations suivantes : ouvre complètement une première vanne de réglage de la pression disposée dans une conduite de dérivation et réduit la pression dans une chambre de traitement dans laquelle un substrat est traité de la pression atmosphérique à une deuxième pression prescrite ; ajuste le degré d'ouverture de la première vanne de réglage de la pression et maintient la deuxième pression prescrite ; ouvre complètement la première vanne de réglage de la pression et réduit la pression dans la chambre de traitement à une première pression prescrite qui est inférieure à la deuxième pression prescrite ; au moment où la première pression prescrite est atteinte, détecte la pression dans la chambre de traitement dans un état où au moins la première vanne de réglage de la pression et une seconde vanne de réglage de la pression disposée dans une conduite d'échappement sont fermées pendant un premier temps prescrit ; ouvre complètement la seconde vanne de réglage de la pression et réduit la pression dans la chambre de traitement à une troisième pression prescrite ; et ajuste le degré d'ouverture de la seconde vanne de réglage de la pression et maintient une pression de traitement à laquelle le substrat est traité. 圧力制御コントローラは、バイパスラインに設けられた第１の圧力調整弁を