METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICES AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

In one embodiment, the method is for producing optoelectronic semiconductor devices (1) and comprises the following steps: A) providing an optoelectronic semiconductor chip (2), B) applying a temporal spacer (3) to protect a light-exit face (20) of the optoelectronic semiconductor chip (2), C) forming a reflector (4) in a lateral direction directly around the optoelectronic semiconductor chip (2) and around the temporal spacer (3), D) subsequently removing the temporal spacer (3) so that the reflector (4) proceeds beyond the light-exit face (20), and E) applying an optical element (5) onto the reflector (4) so that there is a gap (42) between the light-exit face (20) and a light-entrance face (50) of the optical element (5). Conformément à un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé qui est destiné à produire des dispositifs à semi-conducteurs optoélectroniques (1) et qui consiste à : A) fournir une puce à semi-conducteurs optoélectronique (2), B) appliquer un espaceur temporel (3) pour protéger une face de sortie de lumière (20) de la puce à semi-conducteurs optoélectronique (2), C) former un réflecteur (4) dans une direction latérale directement autour de la puce à semi-conducteurs optoélectronique (2) et autour de l'espaceur temporel (3), D) ensuite, retirer l'espaceur temporel (3) de telle sorte que le réflecteur (4) continue au-delà de la face de sortie de lumière (20), et E) appliquer un élément optique (5) sur le réflecteur (4) de telle sorte qu'il existe un espace (42) entre la face de sortie de lumière (20) et une face d'entrée de lumière (50) de l'élément optique (5).