INTEGRATED ASSEMBLIES HAVING SHIELD LINES BETWEEN DIGIT LINES, AND METHODS OF FORMING INTEGRATED ASSEMBLIES

Some embodiments include an integrated assembly having digit lines which extend along a first direction, and which are spaced from one another by intervening regions. Each of the intervening regions has a first width along a cross-section. Pillars extend upwardly from the digit lines; and the pillars include transistor channel regions extending vertically between upper and lower source/drain regions. Storage elements are coupled with the upper source/drain regions. Wordlines extend along a second direction which crosses the first direction. The wordlines include gate regions adjacent the channel regions. Shield lines are within the intervening regions and extend along the first direction. The shield lines may be coupled with at least one reference voltage node. Some embodiments include methods of forming integrated assemblies. Certains modes de réalisation comprennent un ensemble intégré ayant des lignes numériques qui s'étendent le long d'une première direction, et qui sont espacées les unes des autres par des régions intermédiaires. Chacune des régions intermédiaires comporte une première largeur le long d'une section transversale. Des piliers s'étendent vers le haut à partir des lignes numériques; et les piliers comprennent des régions de canal de transistor s'étendant verticalement entre des régions de source/drain supérieures et inférieures. Des éléments de stockage sont couplés aux régions de source/drain supérieures. Des lignes de mots s'étendent le long d'une seconde direction qui croise la première direction. Les lignes de mots comprennent des régions de grille adjacentes aux régions de canal. Des lignes de blindage sont situées à l'intérieur des régions intermédiaires et s'étendent le long de la première direction. Les lignes de blindage peuvent être couplées à au moins un nœud de tension de référence. La présente invention se rapporte, dans certains modes de réalisation, à des procédés de formation d'ensembles intégrés.