SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND BLOCK COPOLYMER

The substrate production method according to the present invention comprises a step for forming an organic layer of a polymer or compound having a group including a halogen atom at an end of a chain having five or more carbon atoms, on a substrate containing an inorganic nitride in a surface layer t...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KOMATSU Hiroyuki, SAKAI Tatsuya, TAJI Tomoya, SHIRATANI Motohiro
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:The substrate production method according to the present invention comprises a step for forming an organic layer of a polymer or compound having a group including a halogen atom at an end of a chain having five or more carbon atoms, on a substrate containing an inorganic nitride in a surface layer thereof, and a step for forming a film by heating the organic layer. The method preferably comprises, before the organic layer formation step, a step for bringing the substrate into contact with a liquid containing an acid, a base, a peroxide, or a combination thereof, or into contact with a gas or plasma containing hydrogen, oxygen, ozone, nitrogen, or a combination thereof. In the contact step, the substrate is preferably brought into contact with a gas containing hydrogen and nitrogen. Le procédé de production de substrat selon la présente invention comprend une étape de formation d'une couche organique d'un polymère ou d'un composé ayant un groupe comprenant un atome d'halogène à une extrémité d'une chaîne ayant cinq atomes de carbone ou plus, sur un substrat contenant un nitrure inorganique dans une couche de surface de celui-ci, et une étape de formation d'un film par chauffage de la couche organique. Le procédé comprend, de préférence, avant l'étape de formation de couche organique, une étape de mise en contact du substrat avec un liquide contenant un acide, une base, un peroxyde ou une combinaison de ceux-ci, ou de mise en contact avec un gaz ou un plasma contenant de l'hydrogène, de l'oxygène, de l'ozone, de l'azote ou une combinaison de ceux-ci. Dans l'étape de mise en contact, le substrat est de préférence mis en contact avec un gaz contenant de l'hydrogène et de l'azote. 本発明は、表層に無機窒化物を含む基材に、炭素数5以上の鎖の末端にハロゲン原子を含む基を有する重合体又は化合物により有機層を形成する工程と、上記有機層の加熱により膜を形成する工程とを備える基板の製造方法である。上記有機層形成工程前に、上記基材に、酸、塩基、過酸化物若しくはこれらの組み合わせを含有する液体、水素、酸素、オゾン、窒素若しくはこれらの組み合わせを含有する気体又はプラズマを接触させる工程を備えることが好ましい。上記接触工程において、水素及び窒素を含有する気体を接触させることが好ましい。