ION BEAM ETCHING WITH SIDEWALL CLEANING

Patterned magnetoresistive random access memory (MRAM) stacks are formed by performing a main etch through a plurality of MRAM layers disposed on a substrate, where the main etch includes using ion beam etching (IBE). After the main etch, gapfill dielectric material is deposited in spaces between the patterned MRAM stacks, and the gapfill dielectric material is selectively etched or otherwise formed to an etch depth that is above a depth of an underlayer. After the gapfill dielectric material is formed, at least some of the gapfill dielectric material and any electrically conductive materials deposited on sidewalls of the patterned MRAM stacks are removed by performing an IBE trim etch. L'invention concerne la formation d'empilements de mémoires vives magnétorésistives (MRAM) à motifs par une exécution d'une gravure principale à travers une pluralité de couches de MRAM disposées sur un substrat, la gravure principale consistant à faire intervenir une gravure par faisceau d'ions (IBE). Après la gravure principale, un matériau diélectrique de remplissage de vides est déposé dans des espaces entre les empilements de MRAM à motifs, et le matériau diélectrique de remplissage de vides est sélectivement gravé ou autrement formé sur une profondeur de gravure qui est supérieure à une profondeur d'une sous-couche. Après la formation du matériau diélectrique de remplissage de vides, au moins une partie du matériau diélectrique de remplissage de vides et des matériaux électroconducteurs quelconques déposés sur les parois latérales des empilements de MRAM à motifs sont éliminés par une exécution d'une gravure IBE de finition.