SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; a first electrode provided on the semiconductor substrate; an insulating layer having a first section provided on the top surface of the first electrode; a second electrode having a main part provided on the top surface of the first electrode, and an eave part that is connected to the main part and that extends over the first section; and solder that covers the top surface of the main part of the second electrode and a section of the top surface of the eave part connected to the top surface of the main part. The insulating layer has: a second section that covers an end section side of the top surface of the eave part, not the section of the top surface covered by the solder; and a third part that connects the first section to the second section and covers the end section of the eave part. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur ; une première électrode disposée sur le substrat semi-conducteur ; une couche isolante ayant une première section disposée sur la surface supérieure de la première électrode ; une seconde électrode ayant une partie principale disposée sur la surface supérieure de la première électrode, et une partie saillante qui est reliée à la partie principale et qui s'étend sur la première section ; et une brasure qui recouvre la surface supérieure de la partie principale de la seconde électrode et une section de la surface supérieure de la partie saillante reliée à la surface supérieure de la partie principale. La couche isolante comprend : une seconde section qui recouvre un côté de section d'extrémité de la surface supérieure de la partie saillante, non la section de la surface supérieure recouverte par la brasure ; et une troisième partie qui relie la première section à la seconde section et recouvre la section d'extrémité de la partie saillante. 本願の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上に設けられた第１電極と、第１電極の上面に設けられた第１部分を有する絶縁層と、第１電極の上面に設けられた主部と、主部と連なり第１部分の上に乗り上げた庇部と、を有する第２電極と、第２電極のうち主部の上面と、主部の上面と連なる庇部の上面の一部と、を覆うはんだと、を備え、絶縁層は、庇部の上面のうちはんだに覆われた部分よりも庇部の端部側の部分を覆う第２部分と、第１部分と第２部分とを繋ぎ庇部の端部を覆う第３部分と、を有する。