SEALING MATERIAL, MULTILAYER SHEET, CURED PRODUCT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention provides a sealing material which is not susceptible to the occurrence of a void even if a sealing member is formed by arranging the sealing material in the gap between a base material and a semiconductor chip and subsequently heating and molding the sealing material at a relatively low temperature for a relatively short time. This sealing material is a material for sealing the gap between a base material (2) and a semiconductor chip (3) which is mounted on the base material (2). The reaction initiation temperature of this sealing material is 160°C or less. If this sealing material is heated at least at a temperature of from 100°C to 170°C (inclusive), the total amount of the components that volatilize from the sealing material is 0.5% by mass or less. La présente invention concerne un matériau d'étanchéité qui n'est pas sensible à l'apparition d'un vide même si un élément d'étanchéité est formé en agençant le matériau d'étanchéité dans l'espace entre un matériau de base et une puce à semi-conducteur, puis en chauffant et en moulant le matériau d'étanchéité à une température relativement basse pendant un temps relativement court. Le présent matériau d'étanchéité est un matériau pour sceller l'espace entre un matériau de base (2) et une puce à semi-conducteur (3) qui est montée sur le matériau de base (2). La température de début de réaction du matériau d'étanchéité est inférieure ou égale à 160 °C. Si le présent matériau d'étanchéité est chauffé au moins à une température de 100 °C à 170 °C (inclus), la quantité totale des composants qui se volatilisent à partir du matériau d'étanchéité est de 0,5 % en masse ou moins. 基材と半導体チップとの間の隙間に配置された状態で、比較的低温かつ短時間で加熱成形してから封止材を形成しても、ボイドが生じにくい封止用材料を提供する。封止用材料は、基材（２）と基材（２）に実装される半導体チップ（３）との間の隙間を封止するための封止用の材料である。封止用材料の反応開始温度は、１６０℃以下である。封止用材料において、１００℃以上１７０℃以下の少なくとも一つの温度で加熱した場合に、封止用材料全量に対して、封止用材料から揮発する成分の合計量が０．５質量％以下である。