METHOD FOR PROGRAMMING MEMORY SYSTEM

A memory system includes a plurality of memory cells, and the memory cells are multiple-level cells. The memory system performs program operations to program the memory cells. After each program operation, at least one threshold voltage test is performed to determine if threshold voltages of the memory cells are greater than the verification voltage. When the threshold voltage of a first memory cell is determined to be greater than a first verification voltage, the first memory cell will be inhibited from being programmed during the next program operation. When the threshold voltage of a second memory cell is determined to newly become greater than a second verification voltage, where the second verification voltage is greater than the first verification voltage, the second memory cell will be programmed again during the next program operation. L'invention concerne un système de mémoire qui comprend une pluralité de cellules de mémoire, et les cellules de mémoire sont des cellules à plusieurs niveaux. Le système de mémoire effectue des opérations de programme afin de programmer les cellules de mémoire. Après chaque opération de programme, au moins un test de tension de seuil est effectué afin de déterminer si des tensions de seuil des cellules de mémoire sont supérieures à la tension de vérification. Lorsque la tension de seuil d'une première cellule de mémoire est déterminée comme étant supérieure à une première tension de vérification, la première cellule de mémoire sera empêchée d'être programmée pendant l'opération de programme suivante. Lorsque la tension de seuil d'une seconde cellule de mémoire est déterminée comme étant nouvellement supérieure à une seconde tension de vérification, la seconde tension de vérification étant supérieure à la première tension de vérification, la seconde cellule de mémoire sera à nouveau programmée pendant l'opération de programme suivante.