BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING BONDING CONTACTS MADE OF INDIFFUSIBLE CONDUCTIVE MATERIALS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Embodiments of bonded semiconductor structures and fabrication methods thereof are disclosed. In an example, a semiconductor device includes a first semiconductor structure, a second semiconductor structure, and a bonding interface between the first semiconductor structure and the second semiconduct...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HUA, Zi Qun, ZHU, Jifeng, HUO, Zongliang, XIAO, Li Hong, LIU, Jun, CHEN, Jun
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Embodiments of bonded semiconductor structures and fabrication methods thereof are disclosed. In an example, a semiconductor device includes a first semiconductor structure, a second semiconductor structure, and a bonding interface between the first semiconductor structure and the second semiconductor structure. The first semiconductor structure includes a substrate, a first device layer disposed on the substrate, and a first bonding layer disposed above the first device layer and including a first bonding contact. The second semiconductor structure includes a second device layer and a second bonding layer disposed below the second device layer and including a second bonding contact. The first bonding contact is in contact with the second bonding contact at the bonding interface. At least one of the first bonding contact or the second bonding contact is made of an indiffusible conductive material. L'invention concerne des modes de réalisation de structures semi-conductrices liées et leurs procédés de fabrication. Selon un exemple, un dispositif à semi-conducteur comporte une première structure semi-conductrice, une seconde structure semi-conductrice, et une interface de liaison entre les première et seconde structures semi-conductrices. La première structure semi-conductrice comprend un substrat, une première couche de dispositif disposée sur le substrat, et une première couche de liaison disposée au-dessus de la première couche de dispositif et comprenant un premier contact de liaison. La seconde structure semi-conductrice comprend une seconde couche de dispositif et une seconde couche de liaison disposée en dessous de la seconde couche de dispositif et comprend un second contact de liaison. Le premier contact de liaison est en contact avec le second contact de liaison au niveau de l'interface de liaison. Le premier contact de liaison et/ou le second contact de liaison est constitué d'un matériau conducteur non diffusible.