METHODS AND APPARATUS FOR ETCHING SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Methods and apparatus for producing high aspect ratio features in a substrate using reactive ion etching (RIE). In some embodiments, a method comprises flowing a gas mixture of C3H2F4 and a companion gas into a process chamber, forming a plasma from the gas mixture using an RF power source connected to an upper electrode above the substrate and at least one RF bias power source connected to a lower electrode under the substrate, performing an anisotropic etch, via the plasma, of at least one layer of oxide or nitride on the substrate using a pattern mask, reducing power of the at least one RF bias power source to produce deposition of a passivation layer on the at least one layer of oxide or nitride on the substrate, and evacuating the process chamber while interrupting the RF power source to stop plasma formation. L'invention concerne des procédés et un appareil permettant de produire des éléments à rapport de forme élevé dans un substrat au moyen d'une gravure ionique réactive (RIE). Dans certains modes de réalisation, un procédé consiste : à faire passer un mélange gazeux de C3H2F4 et d'un gaz complémentaire dans une chambre de traitement ; à former un plasma à partir du mélange gazeux à l'aide d'une source d'énergie RF connectée à une électrode supérieure sur le substrat et d'au moins une source d'énergie de polarisation RF connectée à une électrode inférieure sous le substrat ; à réaliser une gravure anisotrope, par l'intermédiaire du plasma, d'au moins une couche d'oxyde ou de nitrure sur le substrat à l'aide d'un masque à motif ; à réduire la puissance de ladite source d'énergie de polarisation RF de manière à produire le dépôt d'une couche de passivation sur ladite couche d'oxyde ou de nitrure sur le substrat ; et à faire le vide de la chambre de traitement tout en coupant la source d'énergie RF de manière à arrêter la formation de plasma.