SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH SUPERCONDUCTIVE INTERCONNECTIONS

An integrated circuit assembly comprises a semiconductor package containing a plurality of electronic components, and a plurality of interconnections each made of a stacked nanocrystalline multilayer having a plurality of two-dimensional films. The plurality of interconnections electrically connects...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MALOBANI, Itzik, SLEZAK, Yaron, EL BAHAR, Roni
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An integrated circuit assembly comprises a semiconductor package containing a plurality of electronic components, and a plurality of interconnections each made of a stacked nanocrystalline multilayer having a plurality of two-dimensional films. The plurality of interconnections electrically connects between a) at least two of the plurality of electronic components, b) the semiconductor package and at least one of the plurality of electronic components, or c) the semiconductor package or one of the plurality of electronic components and an electronic component located external to the semiconductor package. A method of forming an integrated circuit assembly comprises assembling a plurality of electronic components and a semiconductor package, and interconnecting with a stacked nanocrystalline multilayer having a plurality of two-dimensional films having a superconductive working condition. The integrated circuit assembly and method are suitable for conducting current through the interconnections at high frequency, high power, and with high density. La présente invention concerne un ensemble circuit intégré comprenant un boîtier de semi-conducteur contenant une pluralité de composants électroniques, et une pluralité d'interconnexions constituées chacune d'une multicouche nanocristalline empilée ayant une pluralité de films bidimensionnels. La pluralité d'interconnexions se connecte électriquement entre a) au moins deux composants parmi la pluralité de composants électroniques, b) le boîtier de semi-conducteur et au moins un composant de la pluralité de composants électroniques, ou c) le boîtier de semi-conducteur ou un composant de la pluralité de composants électroniques et un composant électronique situé à l'extérieur du boîtier de semi-conducteur. Un procédé de formation d'un ensemble circuit intégré comprend l'assemblage d'une pluralité de composants électroniques et d'un boîtier semi-conducteur, et l'interconnexion avec une multicouche nanocristalline empilée ayant une pluralité de films bidimensionnels ayant un état de fonctionnement supraconducteur. L'ensemble circuit intégré et le procédé sont appropriés pour conduire le courant à travers les interconnexions à haute fréquence, haute puissance et haute densité.