SCANDIUM NITRIDE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE
A magnetic tunnel junction device is disclosed comprising a first device layer comprising a material having a magnetic moment; a second device layer comprising a material having a magnetic moment, e.g., wherein the magnetic moment of the material of the second device layer is different from that of...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A magnetic tunnel junction device is disclosed comprising a first device layer comprising a material having a magnetic moment; a second device layer comprising a material having a magnetic moment, e.g., wherein the magnetic moment of the material of the second device layer is different from that of the material of the first device layer; and a barrier layer, e.g., tunnel barrier, having a first interface to the first device layer comprising predominantly of a scandium nitride (ScN) material and having a second interface to the second device layer comprising predominantly of a scandium nitride (ScN) material.
L'invention concerne un dispositif de jonction à effet tunnel magnétique comprenant une première couche de dispositif comprenant un matériau présentant un moment magnétique ; une seconde couche de dispositif comprenant un matériau présentant un moment magnétique, par exemple, le moment magnétique du matériau de la seconde couche de dispositif étant différent de celui du matériau de la première couche de dispositif ; et une couche barrière, par exemple, une barrière tunnel, ayant une première interface avec la première couche de dispositif comprenant principalement un matériau de nitrure de scandium (ScN) et ayant une seconde interface avec la seconde couche de dispositif comprenant principalement un matériau de nitrure de scandium (ScN). |
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