IMAGE CAPTURING DEVICE

This image capturing device according to an embodiment of the present disclosure is provided with: a photoelectric converting unit that converts incoming light to electrical charges; a semiconductor substrate that includes a first impurity region of a first conductive type that is electrically connected to the photoelectric converting unit, and an element isolation region; a plug that is directly connected to the first impurity region and includes a first semiconductor; a pad that is directly connected to the plug and includes a second semiconductor; and a first transistor that includes the first impurity region as one of a source and a drain, and is provided with a first gate. The first impurity region is located between a first portion of the element isolation region and the first gate in a plan view. The pad overlaps the first gate and the first portion in a plan view. Selon un mode de réalisation, la présente invention porte sur un dispositif de capture d'image comprenant : une unité de conversion photoélectrique qui convertit la lumière entrante en charges électriques ; un substrat semi-conducteur qui comporte une première région d'impuretés d'un premier type de conductivité qui est électriquement connectée à l'unité de conversion photoélectrique, et une région d'isolation d'élément ; une fiche qui est directement connectée à la première région d'impuretés et qui comporte un premier semi-conducteur ; une pastille qui est directement connectée à la fiche et qui comporte un second semi-conducteur ; et un premier transistor qui comporte la première région d'impuretés en tant que source ou drain, et qui est pourvu d'une première grille. La première région d'impuretés est située entre une première partie de la région d'isolation d'élément et la première grille dans une vue en plan. La pastille chevauche la première grille et la première partie dans une vue en plan. 本開示の一態様に係る撮像装置は、入射光を電荷に変換する光電変換部と、光電変換部に電気的に接続された第１導電型の第１不純物領域、及び素子分離領域を含む半導体基板と、第１不純物領域に直接接続され、第１半導体を含むプラグと、プラグに直接接続され、第２半導体を含むパッドと、第１不純物領域をソースおよびドレインの一方として含み、第１ゲートを備える第１トランジスタと、を備える。平面視において、第１不純物領域は、素子分離領域の第１部分と第１ゲートとの間に位置する。平面視において、パッドは、第１ゲートと第１部分とに重なる。