SYSTEMS AND METHODS FOR JUNCTION TERMINATION OF WIDE BAND GAP SUPER-JUNCTION POWER DEVICES

A disclosed super-junction (SJ) device includes a first epitaxial (epi) layer that forms a first SJ layer of the SJ device, and includes a second epi layer disposed on the first SJ layer that forms a device layer of the SJ device. An active area of the first and second epi layers includes a first set of SJ pillars comprising a particular doping concentration of a first conductivity type and a second set of SJ pillars comprising the particular doping concentration of a second conductivity type. A termination area of the first and second epi layers has a minimized epi doping concentration of the first conductivity type that is less than the particular doping concentration, and the termination area of the second epi layer includes a plurality of floating regions of the second conductivity type that form a junction termination of the SJ device. L'invention concerne un dispositif à super-jonction (SJ) qui comprend une première couche épitaxiale formant une première couche SJ du dispositif SJ et comprend une seconde couche épitaxiale, disposée sur la première couche SJ, formant une couche de dispositif du dispositif SJ. Une zone active des première et seconde couches épitaxiales comprend un premier ensemble de piliers SJ comprenant une concentration de dopage particulière d'un premier type de conductivité et un second ensemble de piliers SJ comprenant la concentration de dopage particulière d'un second type de conductivité. Une zone de terminaison des première et seconde couches épitaxiales présente une concentration de dopage par épitaxie du premier type de conductivité réduite au minimum qui est inférieure à la concentration de dopage particulière, et la zone de terminaison de la seconde couche épitaxiale comprend une pluralité de régions flottantes du second type de conductivité qui forment une terminaison de jonction du dispositif SJ.