FIELD-TO-FIELD CORRECTIONS USING OVERLAY TARGETS

A metrology system may include a controller coupled to a metrology tool. The controller may receive a metrology target design including at least a first feature formed by exposing a first exposure field on a sample with a lithography tool, and at least a second feature formed by exposing a second ex...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GHINOVKER, Mark, BEN DOV, Guy, VOLKOVICH, Roie, LESHINSKY-ALTSHULLER, Enna, SHAPHIROV, Diana, STEELY, Chris, TARSHISH-SHAPIR, Inna
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A metrology system may include a controller coupled to a metrology tool. The controller may receive a metrology target design including at least a first feature formed by exposing a first exposure field on a sample with a lithography tool, and at least a second feature formed by exposing a second exposure field on the sample with the lithography tool, where the second exposure field overlaps the first exposure field at a location of a metrology target on the sample. The controller may further receive metrology data associated with the metrology target fabricated according to the metrology target design, determine one or more fabrication errors during fabrication of the metrology target based on the metrology data, and generate correctables to adjust one or more fabrication parameters of the lithography tool in one or more subsequent lithography steps based on the one or more fabrication errors. Un système de métrologie peut comprendre un contrôleur couplé à un outil de métrologie. Le contrôleur peut effectuer les opérations consistant à : recevoir une conception de cible de métrologie comportant au moins une première caractéristique formée en exposant un premier champ d'exposition sur un échantillon à l'aide d'un outil de lithographie et au moins une seconde caractéristique formée en exposant un second champ d'exposition sur l'échantillon à l'aide de l'outil de lithographie, le second champ d'exposition chevauchant le premier en un emplacement d'une cible de métrologie sur l'échantillon ; recevoir des données de métrologie associées à la cible de métrologie fabriquée selon la conception de cible de métrologie ; déterminer une ou plusieurs erreurs de fabrication pendant la fabrication de la cible de métrologie sur la base des données de métrologie ; et générer des correctifs de façon à ajuster un ou plusieurs paramètres de fabrication de l'outil de lithographie au cours d'une ou plusieurs étapes de lithographie ultérieures sur la base desdites une ou plusieurs erreurs de fabrication.