SILICON MANDREL ETCH AFTER NATIVE OXIDE PUNCH-THROUGH
Apparatus, systems, and methods for conducting a silicon containing material removal process on a workpiece are provided. In one example implementation, the method can include generating species from a process gas in a first chamber using an inductive coupling element. The method can include introdu...
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Format: | Patent |
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creator | YAN, Chun LO, Sio On SUNG, Tsai Wen CHUNG, Hua YANG, Michael X |
description | Apparatus, systems, and methods for conducting a silicon containing material removal process on a workpiece are provided. In one example implementation, the method can include generating species from a process gas in a first chamber using an inductive coupling element. The method can include introducing a fluorine containing gas with the species to create a mixture. The mixture can include exposing a silicon structure of the workpiece to the mixture to remove at least a portion of the silicon structure.
La présente invention concerne des appareils, des systèmes, et des procédés destinés à réaliser un processus de retrait de matériau contenant du silicium sur une pièce à travailler. Dans un exemple de mise en œuvre, le procédé peut consister à générer une espèce chimique à partir d'un gaz de traitement dans une première chambre à l'aide d'un élément de couplage inductif. Le procédé peut consister à introduire un gaz contenant du fluor dans l'espèce chimique pour créer un mélange. Le mélange peut consister à exposer une structure en silicium de la pièce à travailler au mélange pour éliminer au moins une partie de la structure en silicium. |
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La présente invention concerne des appareils, des systèmes, et des procédés destinés à réaliser un processus de retrait de matériau contenant du silicium sur une pièce à travailler. Dans un exemple de mise en œuvre, le procédé peut consister à générer une espèce chimique à partir d'un gaz de traitement dans une première chambre à l'aide d'un élément de couplage inductif. Le procédé peut consister à introduire un gaz contenant du fluor dans l'espèce chimique pour créer un mélange. Le mélange peut consister à exposer une structure en silicium de la pièce à travailler au mélange pour éliminer au moins une partie de la structure en silicium.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200625&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020131793A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25544,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200625&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2020131793A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>YAN, Chun</creatorcontrib><creatorcontrib>LO, Sio On</creatorcontrib><creatorcontrib>SUNG, Tsai Wen</creatorcontrib><creatorcontrib>CHUNG, Hua</creatorcontrib><creatorcontrib>YANG, Michael X</creatorcontrib><title>SILICON MANDREL ETCH AFTER NATIVE OXIDE PUNCH-THROUGH</title><description>Apparatus, systems, and methods for conducting a silicon containing material removal process on a workpiece are provided. In one example implementation, the method can include generating species from a process gas in a first chamber using an inductive coupling element. The method can include introducing a fluorine containing gas with the species to create a mixture. The mixture can include exposing a silicon structure of the workpiece to the mixture to remove at least a portion of the silicon structure.
La présente invention concerne des appareils, des systèmes, et des procédés destinés à réaliser un processus de retrait de matériau contenant du silicium sur une pièce à travailler. Dans un exemple de mise en œuvre, le procédé peut consister à générer une espèce chimique à partir d'un gaz de traitement dans une première chambre à l'aide d'un élément de couplage inductif. Le procédé peut consister à introduire un gaz contenant du fluor dans l'espèce chimique pour créer un mélange. Le mélange peut consister à exposer une structure en silicium de la pièce à travailler au mélange pour éliminer au moins une partie de la structure en silicium.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDAN9vTxdPb3U_B19HMJcvVRcA1x9lBwdAtxDVLwcwzxDHNV8I_wdHFVCAj1c_bQDfEI8g919-BhYE1LzClO5YXS3AzKbiCNuqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f5GBkYGhsaG5pbGjobGxKkCAICaKHo</recordid><startdate>20200625</startdate><enddate>20200625</enddate><creator>YAN, Chun</creator><creator>LO, Sio On</creator><creator>SUNG, Tsai Wen</creator><creator>CHUNG, Hua</creator><creator>YANG, Michael X</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200625</creationdate><title>SILICON MANDREL ETCH AFTER NATIVE OXIDE PUNCH-THROUGH</title><author>YAN, Chun ; LO, Sio On ; SUNG, Tsai Wen ; CHUNG, Hua ; YANG, Michael X</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2020131793A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>YAN, Chun</creatorcontrib><creatorcontrib>LO, Sio On</creatorcontrib><creatorcontrib>SUNG, Tsai Wen</creatorcontrib><creatorcontrib>CHUNG, Hua</creatorcontrib><creatorcontrib>YANG, Michael X</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>YAN, Chun</au><au>LO, Sio On</au><au>SUNG, Tsai Wen</au><au>CHUNG, Hua</au><au>YANG, Michael X</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SILICON MANDREL ETCH AFTER NATIVE OXIDE PUNCH-THROUGH</title><date>2020-06-25</date><risdate>2020</risdate><abstract>Apparatus, systems, and methods for conducting a silicon containing material removal process on a workpiece are provided. In one example implementation, the method can include generating species from a process gas in a first chamber using an inductive coupling element. The method can include introducing a fluorine containing gas with the species to create a mixture. The mixture can include exposing a silicon structure of the workpiece to the mixture to remove at least a portion of the silicon structure.
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