SILICON MANDREL ETCH AFTER NATIVE OXIDE PUNCH-THROUGH

Apparatus, systems, and methods for conducting a silicon containing material removal process on a workpiece are provided. In one example implementation, the method can include generating species from a process gas in a first chamber using an inductive coupling element. The method can include introdu...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: YAN, Chun, LO, Sio On, SUNG, Tsai Wen, CHUNG, Hua, YANG, Michael X
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Apparatus, systems, and methods for conducting a silicon containing material removal process on a workpiece are provided. In one example implementation, the method can include generating species from a process gas in a first chamber using an inductive coupling element. The method can include introducing a fluorine containing gas with the species to create a mixture. The mixture can include exposing a silicon structure of the workpiece to the mixture to remove at least a portion of the silicon structure. La présente invention concerne des appareils, des systèmes, et des procédés destinés à réaliser un processus de retrait de matériau contenant du silicium sur une pièce à travailler. Dans un exemple de mise en œuvre, le procédé peut consister à générer une espèce chimique à partir d'un gaz de traitement dans une première chambre à l'aide d'un élément de couplage inductif. Le procédé peut consister à introduire un gaz contenant du fluor dans l'espèce chimique pour créer un mélange. Le mélange peut consister à exposer une structure en silicium de la pièce à travailler au mélange pour éliminer au moins une partie de la structure en silicium.