SEMICONDUCTOR DEVICE

Task #: 946 / Project: Abstracts JA-EN 199617 / Asset: pctjp2018046755-ttad-000001-en-ja.xml This semiconductor device comprises: a drift region (30) having an SJ structure that is placed on a semiconductor substrate (10), for which a first columnar region (31) of a first electrically conductive type and a second columnar region (32) of a second electrically conductive type are placed in alternating fashion; a base region (40) of the second electrically conductive type that is placed on the drift region (30); a source region (50) of the first electrically conductive type that is placed on the base region (40); and gate electrodes (80) placed inside grooves that pass through the source region (50) and the base region (40). The second columnar region (32) of the drift region (30) is formed with the recombination center density of holes and electrons higher in an upper region (32A) than in a lower region (32B). L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une région de dérive (30) ayant une structure SJ qui est placée sur un substrat semi-conducteur (10), pour lequel une première région colonnaire (31) d'un premier type de conductivité électrique et une seconde région colonnaire (32) d'un second type de conductivité électrique sont disposées de manière alternée ; une région de base (40) du second type de conductivité électrique qui est placée sur la région de dérive (30) ; une région de source (50) du premier type de conductivité électrique qui est placée sur la région de base (40) ; et des électrodes de grille (80) placées à l'intérieur de rainures qui passent à travers la région de source (50) et la région de base (40). La seconde région colonnaire (32) de la région de dérive (30) est formée avec la densité centrale de recombinaison de trous et d'électrons plus haut dans une région supérieure (32A) que dans une région inférieure (32B). 半導体装置は、半導体基板（１０）上に配置された、第１導電型の第１柱状領域（３１）と第２導電型の第２柱状領域（３２）が交互に配置されたＳＪ構造のドリフト領域（３０）と、ドリフト領域（３０）の上に配置された第２導電型のベース領域（４０）と、ベース領域（４０）の上に配置された第１導電型のソース領域（５０）と、ソース領域（５０）及びベース領域（４０）を貫通する溝の内部に配置されたゲート電極（８０）を備える。ドリフト領域（３０）の第２柱状領域（３２）は、下部領域（３２Ｂ）よりも上部領域（３２Ａ）において正孔と電子の再結合中心の密度が高く形成されている。