METHOD FOR ADJUSTING A TARGET FEATURE IN A MODEL OF A PATTERNING PROCESS BASED ON LOCAL ELECTRIC FIELDS

A method for adjusting a target feature in a model of a patterning process based on local electric fields estimated for the patterning process is described. The method comprises obtaining a mask stack region of interest. The mask stack region of interest has one or more characteristics associated with propagation of electromagnetic waves through the mask stack region of interest. The mask stack region of interest includes the target feature. The method comprises estimating a local electric field based on the one or more characteristics associated with the propagation of electromagnetic waves through the mask stack region of interest. The local electric field is estimated for a portion of the mask stack region of interest in proximity to the target feature. The method comprises adjusting the target feature based on the estimated local electric field. L'invention concerne un procédé d'ajustement d'une caractéristique cible dans un modèle d'un processus de formation de motifs sur la base de champs électriques locaux estimés pour le processus de formation de motifs. Le procédé comprend l'obtention d'une région d'intérêt d'empilement de masques. La région d'intérêt d'empilement de masques possède une ou plusieurs caractéristiques associées à la propagation d'ondes électromagnétiques à travers la région d'intérêt d'empilement de masques. La région d'intérêt d'empilement de masques comprend la caractéristique cible. Le procédé consiste en l'estimation d'un champ électrique local sur la base d'une ou de plusieurs caractéristiques associées à la propagation d'ondes électromagnétiques à travers la région d'intérêt d'empilement de masques. Le champ électrique local est estimé pour une partie de la région d'intérêt d'empilement de masques à proximité de la caractéristique cible. Le procédé consiste à ajuster la caractéristique cible sur la base du champ électrique local estimé.