SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT

Provided is a solid-state imaging device which has a structure suitable for high integration. This solid-state imaging device includes a semiconductor layer, a photoelectric conversion unit, a storage capacitor element, and a first transistor. The photoelectric conversion unit is provided on the semiconductor layer and generates charge by photoelectric conversion according to the amount of light received . The storage capacitor element is provided on the semiconductor layer and has a first insulating film that has a first electrical thickness. The first transistor is provided on the semiconductor layer and has a second insulating film that has a second electrical thickness that is thicker than the first electrical thickness. L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ayant une structure se prêtant à une intégration élevée. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend une couche semi-conductrice, une unité de conversion photoélectrique, un élément condensateur de stockage et un premier transistor. L'unité de conversion photoélectrique est placée sur la couche semi-conductrice et génère une charge par conversion photoélectrique suivant la quantité de lumière reçue. L'élément condensateur de stockage est placé sur la couche semi-conductrice et comporte un premier film isolant qui présente une première épaisseur électrique. Le premier transistor est placé sur la couche semi-conductrice et comporte un second film isolant qui présente une seconde épaisseur électrique supérieure à la première épaisseur électrique. 高集積化に適した構造を有する固体撮像装置を提供する。この固体撮像装置は、半導体層と、光電変換部と、蓄積容量素子と、第１のトランジスタとを備える。光電変換部は、半導体層に設けられ、受光量に応じた電荷を光電変換により生成する。蓄積容量素子は、半導体層に設けられ、第１の電気的膜厚を有する第１の絶縁膜を含む。第１のトランジスタは、半導体層に設けられ、第１の電気的膜厚よりも厚い第２の電気的膜厚を有する第２の絶縁膜を含む。