SILICON WAFER HELICAL CHAMFER MACHINING METHOD

Provided is a silicon wafer chamfer machining method capable of increasing the number of times a chamfer wheel used for helical chamfer machining is able to machine when a finished wafer slope angle is to be at a low angle. This silicon wafer chamfer machining method is for performing helical chamfer machining in such a manner that, at an edge portion of a silicon wafer W, a finished wafer slope angle θ satisfies an allowed angular range of a target wafer slope angle θ0, the method including a first truing step S10, a first chamfer machining step S20, a step S30 of determining, after the grinding stone part 10 has undergone the first chamfer machining step, the groove bottom diameter ⌀A thereof, a second truing step S40, and a second chamfering step S50, wherein the second truer inclination angle α2 is set to be smaller than the first truer inclination angle α1. L'invention concerne un procédé d'usinage de chanfrein de tranche de silicium capable d'augmenter le nombre de fois qu'une roue de chanfrein utilisée pour un usinage de chanfrein hélicoïdal est capable d'usiner lorsqu'un angle de pente de tranche fini doit être à un angle faible. Le présent procédé d'usinage de chanfrein de tranche de silicium est destiné à effectuer un usinage de chanfrein hélicoïdal de telle sorte que, au niveau d'une partie de bord d'une tranche de silicium W, un angle de pente θ de tranche fini satisfait une plage angulaire autorisée d'un angle de pente de tranche cible θ0, le procédé comprenant une première étape de centrage S10, une première étape d'usinage de chanfrein S20, une étape S30 consistant à déterminer, après que la partie de pierre de meulage 10 a subi la première étape d'usinage de chanfrein, le diamètre de fond de rainure ⌀A de celui-ci, une seconde étape de centrage S40, et une seconde étape de chanfreinage S50, le second angle d'inclinaison de centrage α2 étant défini pour être inférieur au premier angle d'inclinaison de centrage α1. 仕上がりウェーハ傾斜角度を低角度とする場合に、ヘリカル面取り加工に用いる面取りホイールの加工可能回数を増大できるシリコンウェーハの面取り加工方法を提供する。シリコンウェーハＷのエッジ部における仕上がりウェーハ傾斜角度θが目標ウェーハ傾斜角度θ0の許容角度範囲内を満足するようヘリカル面取り加工するシリコンウェーハの面取り加工方法において、第１ツルーイング工程Ｓ１０と、第１面取り加工工程Ｓ２０と、前記第１面取り加工工程を経た後の前記砥石部１０の溝底径φAを求める工程Ｓ３０と、第２ツルーイング工程Ｓ４０と、第２面取り工程Ｓ５０と、を含み、前記第２のツルアー傾斜角度α2を、前記第１のツルアー傾斜角度α1よりも小さくする。