ELECTRIC CIRCUIT ARRANGEMENT TO DETERMINE A LEVEL OF AN EXCESS BIAS VOLTAGE OF A SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE

An electric circuit arrangement (1a, 1b) to determine a level of an excess bias voltage of a single photon avalanche diode comprises an evaluation circuit (300) being configured to determine a level of an excess bias voltage (Vex) of the single photon avalanche diode (100) in dependence on a signal course of an output signal (Van) of the single photon avalanche diode. In a first operational cycle of the circuit arrangement (1a, 1b) a voltage jump to the level of the excess bias voltage (Vex) is generated at an output terminal (40), when a photon hits a photosensitive area of the single photon avalanche diode (100). In a subsequent second operational cycle, the output terminal (40) of the single photon avalanche diode is coupled to a supply terminal (10). Un agencement de circuit électrique (1a, 1b) pour déterminer un niveau d'une tension de polarisation en excès d'une diode à avalanche à photon unique comprend un circuit d'évaluation (300) configuré pour déterminer un niveau d'une tension de polarisation en excès (Vex) de la diode à avalanche à photon unique (100) en fonction d'un tracé de signal d'un signal de sortie (Van) de la diode à avalanche à photon unique. Dans un premier cycle de fonctionnement de l'agencement de circuit (1a, 1b), un saut de tension au niveau de la tension de polarisation en excès (Vex) est généré au niveau d'une borne de sortie (40), lorsqu'un photon frappe une zone photosensible de la diode à avalanche à photon unique (100). Dans un second cycle opérationnel suivant, la borne de sortie (40) de la diode à avalanche à photon unique est couplée à une borne d'alimentation (10).