CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
A capacitive micromachined ultrasonic transducer including a lower electrode, an upper electrode, and a membrane attached to the upper electrode and positioned between the lower electrode and the upper electrode. Anchors are connect to the membrane and the lower electrode such that a cavity is defin...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A capacitive micromachined ultrasonic transducer including a lower electrode, an upper electrode, and a membrane attached to the upper electrode and positioned between the lower electrode and the upper electrode. Anchors are connect to the membrane and the lower electrode such that a cavity is defined between the lower electrode and the membrane. One or more posts are positioned within the cavity, the posts partially buried within the membrane and extending towards the lower electrode. A method of producing a capacitive micromachined ultrasonic transducer includes forming an oxide growth layer on a device layer of undoped silicon and removing portions of the oxide growth layer to form anchors extending beyond the outer surface of the device layer and posts partially buried within post holes in the device layer and extending beyond the outer surface of the device layer.
L'invention concerne un transducteur à ultrasons micro-usiné capacitif qui comprend une électrode inférieure, une électrode supérieure et une membrane fixée à l'électrode supérieure et positionnée entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure. Des éléments d'ancrage sont reliés à la membrane et à l'électrode inférieure de sorte qu'une cavité soit définie entre l'électrode inférieure et la membrane. Un ou plusieurs montants sont positionnés à l'intérieur de la cavité, les montants étant partiellement enfoncés à l'intérieur de la membrane et s'étendant vers l'électrode inférieure. Un procédé de production d'un transducteur à ultrasons micro-usiné capacitif comprend la formation d'une couche de croissance d'oxyde sur une couche de dispositif de silicium non dopé et l'élimination de parties de la couche de croissance d'oxyde afin de former des éléments d'ancrage s'étendant au-delà de la surface extérieure de la couche de dispositif et des montants partiellement enfoncés dans des trous de montant dans la couche de dispositif et s'étendant au-delà de la surface extérieure de la couche de dispositif. |
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