HIGH SPEED SWITCHING CIRCUIT CONFIGURATION

A low inductance electrical switching circuit arrangement (200), includes a two sided substrate (202) with a plurality of through-substrate electrical vias (220, 222). A capacitor (212) is arranged on the substrate first side above a first via (220), and an electrical sink (214) is arranged on the first side above a second via (222). A switching component (216) configured to produce a plurality of current pulses is arranged on the substrate second side below the first and second via. Un agencement de circuit de commutation électrique à faible inductance (200) comprend un substrat à deux côtés (202) avec une pluralité de trous d'interconnexion électriques traversants le substrat (220, 222). Un condensateur (212) est disposé sur le premier côté du substrat au-dessus d'un premier trou d'interconnexion (220), et un dissipateur électrique (214) est disposé sur le premier côté au-dessus d'un second trou d'interconnexion (222). Un composant de commutation (216) configuré pour produire une pluralité d'impulsions de courant est disposé sur le second côté du substrat au-dessous des premier et second trous d'interconnexion.