SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Provided are: a semiconductor device 1 with which substrates can be electrically connected together with ease; and a method of manufacturing the same. In the method of manufacturing the semiconductor device 1, a semiconductor module manufacturing step includes a step for polishing one surface side of each substrate body 3 to expose a doped region 33 on the one surface side of each substrate body 3. A bonding step includes: a step for performing alignment such that the doped regions 33 on the one surface sides of the substrate bodies 3 overlap each other in the thickness direction of a pair of semiconductor modules 10; and a step for bonding the one surface sides of the pair of semiconductor modules 10 together while the doped regions 33 of the one surface sides are aligned. L'invention concerne : un dispositif à semiconducteur 1 avec lequel des substrats peuvent être connectés électriquement ensemble avec facilité ; et un procédé pour le fabriquer. Dans le procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur 1, une étape de fabrication de module semiconducteur comprend une étape consistant à polir un côté de surface de chaque corps de substrat 3 pour exposer une région dopée 33 sur le côté de surface de chaque corps de substrat 3. Une étape de liaison comprend : une étape pour effectuer un alignement de telle sorte que les régions dopées 33 sur les côtés de surface des corps de substrat 3 se recouvrent mutuellement dans la direction d'épaisseur d'une paire de modules semiconducteurs 10 ; et une étape pour lier les côtés de surface de la paire de modules semiconducteurs 10 ensemble tandis que les régions dopées 33 des côtés de surface sont alignées. 電気的に容易に基板同士を接続可能な半導体装置１及びその製造方法を提供すること。 半導体装置１の製造方法であって、半導体モジュール製造ステップは、それぞれの基板本体３の他方の面側を研磨することによって、それぞれの基板本体３の他方の面側にドープ領域３３を露出させるステップを備え、貼り合わせステップは、一対の半導体モジュール１０の厚さ方向において、互いの基板本体３の他方の面側のドープ領域３３が重なるように位置合わせするステップと、他方の面側のドープ領域３３を位置合わせした状態で、一対の半導体モジュール１０の他方の面同士を接合するステップと、を備える。