SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device includes: a semiconductor chip (12) which is an SiC substrate with an element formed thereon and which has main electrodes formed respectively on one surface and a rear surface thereof; a first heat sink (16) that is disposed on the one surface; a second heat sink (24) that is disposed on the rear surface; a terminal (20) that is interposed between the second heat sink and the semiconductor chip and electrically relays the main electrode on the rear surface and the second heat sink; and connection members (18, 22, 26) that are disposed, respectively, between the main electrode on the one surface and the first heat sink, between the main electrode on the rear surface and the terminal, and between the terminal and the second heat sink. The terminal has a plurality of types of metal layers (20a, 20b, 20c, 20d) stacked in the thickness direction, a coefficient of linear expansion in at least a direction orthogonal to the thickness direction is in a range greater than that of the semiconductor chip and smaller than that of the second heat sink, and the plurality of types of metal layers in the terminal are symmetrically disposed in the thickness direction. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une puce semi-conductrice (12) qui est un substrat de SiC sur lequel est formé un élément et qui a des électrodes principales formées respectivement sur une surface et une surface arrière de celui-ci ; un premier dissipateur thermique (16) qui est disposé sur la première surface ; un second dissipateur thermique (24) qui est disposé sur la surface arrière ; une borne (20) qui est interposée entre le second dissipateur thermique et la puce semi-conductrice et qui relaie électriquement l'électrode principale sur la surface arrière et le second dissipateur thermique ; et des éléments de connexion (18, 22, 26) qui sont disposés, respectivement, entre l'électrode principale sur la première surface et le premier dissipateur thermique, entre l'électrode principale sur la surface arrière et la borne, et entre la borne et le second dissipateur thermique. La borne comporte une pluralité de types de couches métalliques (20a, 20b, 20d) empilées dans le sens de l'épaisseur, un coefficient de dilatation linéaire dans au moins une direction orthogonale à la direction d'épaisseur est dans une plage supérieure à celle de la puce semi-conductrice et inférieure à celle du second dissipateur thermique, et la pluralité de types de couches