LATERAL III-NITRIDE DEVICES INCLUDING A VERTICAL GATE MODULE

A lateral III-N device has a vertical gate module with III-N material orientated in an N-polar or a group-III polar orientation. A III-N material structure has a III-N buffer layer, a III-N barrier layer, and a III-N channel layer. A compositional difference between the III-N barrier layer and the III-N channel layer causes a 2DEG channel to be induced in the III-N channel layer. A p-type III-N body layer is disposed over the III-N channel layer in a source side access region but not over a drain side access region. A n-type III-N capping layer over the p-type III-N body layer. A source electrode that contacts the n-type III-N capping layer is electrically connected to the p-type III-N body layer and is electrically isolated from the 2DEG channel when the gate electrode is biased relative to the source electrode at a voltage that is below a threshold voltage. La présente invention concerne un dispositif latéral N-III doté d'un module de grille verticale comprenant un matériau N-III orienté dans une orientation polaire N ou polaire du groupe III. Une structure de matériau N-III comprend une couche tampon N-III, une couche de barrière N-III, et une couche de canal N-III. Une différence de composition entre la couche de barrière N-III et la couche de canal N-III provoque l'induction d'un canal 2DEG dans la couche de canal N-III. Une couche de corps N-III de type p est disposée sur la couche de canal N-III dans une zone d'accès côté source mais pas sur une zone d'accès côté drain. Une couche de recouvrement N-III de type n est disposée sur la couche de corps N-III de type p. Une électrode source qui est en contact avec la couche de recouvrement N-III de type n est électriquement connectée à la couche de corps N-III de type p et électriquement isolée du canal 2DEG lorsque l'électrode grille est polarisée par rapport à l'électrode source à une tension qui est inférieure à une tension de seuil.