IN-SITU BEAM PROFILE METROLOGY

A system for determining various parameters of an ion beam is disclosed. A test workpiece may be modified to incorporate a detection pattern. The detection pattern may be configured to measure the height of the ion beam, the uniformity of the ion beam, or the central angle of the ion beam. In certain embodiments, the amount of current striking the detection pattern may be measured using an optical emission spectrometer (OES) system. In other embodiments, a power supply used to bias the workpiece may be used to measure the amount of current striking the detection pattern. Alternative, the detection patterns may be incorporated into the workpiece holder. L'invention concerne un système permettant de déterminer divers paramètres d'un faisceau ionique. Une pièce à usiner d'essai peut être modifiée pour incorporer un motif de détection. Le motif de détection peut être configuré pour mesurer la hauteur du faisceau d'ions, l'uniformité du faisceau d'ions, ou l'angle central du faisceau d'ions. Dans certains modes de réalisation, la quantité de courant frappant le motif de détection peut être mesurée à l'aide d'un système de spectromètre d'émission optique (OES). Dans d'autres modes de réalisation, une alimentation électrique utilisée pour solliciter la pièce à usiner peut être utilisée pour mesurer la quantité de courant frappant le motif de détection. En variante, les motifs de détection peuvent être incorporés dans le porte-pièce à usiner.