REMOVING METAL CONTAMINATION FROM SURFACES OF A PROCESSING CHAMBER

A method for cleaning surfaces of a substrate processing chamber includes a) supplying a first gas selected from a group consisting of silicon tetrachloride (SiCU4), carbon tetrachloride (CCI4), a hydrocarbon (CxHy where x and y are integers) and molecular chlorine (CI2), boron trichloride (BCI3), a...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HEO, Seongjun, YUAN, Ge, YU, Jengyi, KANAKASABAPATHY, Siva Krishnan, TAN, Samantha SiamHwa
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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