REMOVING METAL CONTAMINATION FROM SURFACES OF A PROCESSING CHAMBER

A method for cleaning surfaces of a substrate processing chamber includes a) supplying a first gas selected from a group consisting of silicon tetrachloride (SiCU4), carbon tetrachloride (CCI4), a hydrocarbon (CxHy where x and y are integers) and molecular chlorine (CI2), boron trichloride (BCI3), and thienyl chloride (SOCI2); b) striking plasma in the substrate processing chamber to etch the surfaces of the substrate processing chamber; c) extinguishing the plasma and evacuating the substrate processing chamber; d) supplying a second gas including fluorine species; e) striking plasma in the substrate processing chamber to etch the surfaces of the substrate processing chamber; and f) extinguishing the plasma and evacuating the substrate processing chamber. L'invention concerne un procédé de nettoyage de surfaces d'une chambre de traitement de substrat qui comprend : a) l'alimentation en un premier gaz choisi dans un groupe constitué du tétrachlorure de silicium (SiCU4), du tétrachlorure de carbone (CCI4), d'un hydrocarbure (CxHy où x et y sont des nombres entiers) et du chlore moléculaire (CI2), du trichlorure de bore (BCI3), et du chlorure de thiényle (SOCI2) ; b) l'envoi de plasma dans la chambre de traitement de substrat pour attaquer les surfaces de la chambre de traitement de substrat ; c) l'extinction du plasma et l'évacuation de la chambre de traitement de substrat ; d) l'alimentation en un second gaz comprenant des espèces fluorées ; e) l'envoi de plasma dans la chambre de traitement de substrat pour attaquer les surfaces de la chambre de traitement de substrat ; f) l'extinction du plasma et l'évacuation de la chambre de traitement de substrat.