OPTOELECTRONIC DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME

The present disclosure relates to a device that includes a first layer that includes at least one of a semiconducting material, a hole transport material (HTM), and/or an electron transport material (ETM), a second layer, and a third layer that includes a material that is at least one of transparent or conductive, where the second layer is positioned between the first layer and the third layer, the first layer, the second layer, and the third layer are in electrical contact with each other, and the third layer has a first thickness between greater than zero nm and about 100 nm. In some embodiments of the present disclosure, the semiconducting material may include a perovskite. La présente invention concerne un dispositif qui comprend une première couche qui comprend un matériau semi-conducteur et/ou un matériau de transport de trous (HTM) et/ou un matériau de transport d'électrons (ETM), une deuxième couche et une troisième couche qui comprend un matériau qui est transparent et/ou conducteur, la deuxième couche étant positionnée entre la première couche et la troisième couche, la première couche, la deuxième couche et la troisième couche étant en contact électrique les unes avec les autres et la troisième couche ayant une première épaisseur supérieure à zéro nm et jusqu'à environ 100 nm. Dans certains modes de réalisation de la présente invention, le matériau semi-conducteur peut comprendre de la pérovskite.