SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device (100) comprising: a semiconductor substrate (110); a gate insulation film (120) provided on the semiconductor substrate; a gate electrode layer (130) provided on the gate insulation film and including impurity ions; and source and drain regions (140) provided to the semiconductor substrate on both sides of the gate electrode layer and including conductivity type impurities, wherein a concentration of the impurity ions in the gate electrode layer is higher than a concentration of the conductivity type impurities in the source and the drain regions. Un dispositif à semi-conducteur (100) comprend : un substrat semi-conducteur (110) ; un film d'isolation de grille (120) disposé sur le substrat semi-conducteur ; une couche d'électrode de grille (130) disposée sur le film d'isolation de grille et comprenant des ions d'impureté ; et des régions de source et de drain (140) disposées sur le substrat semi-conducteur des deux côtés de la couche d'électrode de grille et comprenant des impuretés de type conductivité, une concentration des ions d'impureté dans la couche d'électrode de grille étant supérieure à une concentration des impuretés de type conductivité dans les régions de source et de drain. 半導体基板（１１０）と、前記半導体基板の上に設けられたゲート絶縁膜（１２０）と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられ、不純物イオンを含むゲート電極層（１３０）と、前記ゲート電極層の両側の前記半導体基板に設けられ、導電型不純物を含むソースまたはドレイン領域（１４０）と、を備え、前記ゲート電極層の前記不純物イオンの濃度は、前記ソースまたはドレイン領域の前記導電型不純物の濃度よりも高い、半導体装置（１００）。