PHOTODETECTOR

A photodetector comprising an optical waveguide structure comprising at least three stripes spaced from one another such that a slot is present between each two adjacent stripes of the at least three stripes. A graphene absorption layer is provided over or underneath the at least three stripes;. There is an electrode for each stripe, over or underneath the graphene absorption layer. The photodetector is configured such that two adjacent electrodes are biased using opposite polarities to create a p-n junction effect in a portion of the graphene absorption layer. In particular the portion of the graphene absorption layer is located over or underneath each respective slot between said each two adjacent stripes. La présente invention concerne un photodétecteur comprenant une structure de guide d'ondes optique comprenant au moins trois bandes espacées les unes des autres de telle sorte qu'une fente soit présente entre chacune des deux bandes adjacentes desdites trois bandes. Une couche d'absorption de graphène est disposée au-dessus ou en dessous desdites trois bandes. Chaque bande dispose d'une électrode, au-dessus ou en dessous de la couche d'absorption de graphène. Le photodétecteur est configuré de telle sorte que deux électrodes adjacentes soient polarisées à l'aide de polarités opposées pour créer un effet de jonction p-n dans une partie de la couche d'absorption de graphène. En particulier, la partie de la couche d'absorption de graphène est située au-dessus ou en dessous de chaque fente respective entre lesdites deux bandes adjacentes.