METHOD FOR POLISHING A SEMICONDUCTOR WAFER

Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe, indem wenigstens eine Seite der Halbleiterscheibe in Gegenwart eines Poliermittels gegen ein auf einem sich drehenden Polierteller befestigtes Poliertuch gedrückt wird, wobei das Poliertuch eine durch Kanäle unterbrochene Oberfläche ausweist, dadurch gekennzeichnet, dass das Poliertuch auf dem Polierteller befestigt wird, indem das Poliertuch auf dem Polierteller aufgeklebt und mittels eines geeigneten Werkzeugs im Bereich der Kanäle an den Polierteller gepresst wird. The invention relates to a method for polishing a semiconductor wafer in that at least one side of the semiconductor wafer is pressed against a polishing pad secured to a rotating polishing disc in the presence of a polishing agent. The polishing pad has a surface interrupted by channels. The invention is characterized in that the polishing pad is secured to the polishing disc in that the polishing pad is adhered to the polishing disc and is pressed against the polishing disc in the region of the channels by means of a suitable tool. Procédé de polissage d'une plaquette de semi-conducteur, dans lequel au moins une face de la plaquette de semi-conducteur est pressée en présence d'un agent de polissage contre une étoffe de polissage fixée à une plaque de polissage rotative, l'étoffe de polissage présentant une surface entrecoupée de canaux, caractérisé en ce que l'étoffe de polissage est fixée sur la plaque de polissage en collant l'étoffe de polissage sur la plaque de polissage et en pressant l'étoffe de polissage contre la plaque de polissage dans la zone des canaux au moyen d'un outil approprié.