ETCHING METAL-OXIDE AND PROTECTING CHAMBER COMPONENTS

Various embodiments include methods and chemistries to etch metal-oxide films. In one embodiment, a method of etching tin oxide (SnO2) films includes using thionyl chloride (SOCl2) chemistry to produce an etch rate of the SnO2 films of up to 10-times higher as compared with Cl2 chemistry for similar flow-rates and process conditions, and gettering oxygen species from the SnO2 films by using the SOCl2, thereby forming volatile SO2 and volatile SnCl4 to provide human safety and machine safety and operations. Other methods, chemistries, and techniques are disclosed. Divers modes de réalisation comprennent des procédés et des compositions chimiques pour graver des films d'oxyde métallique. Selon un mode de réalisation, un procédé de gravure de films d'oxyde d'étain (SnO2) comprend l'utilisation d'une composition chimique de chlorure de thionyle (SOCl2) pour produire un taux de gravure des films SnO2 jusqu'à 10 fois plus élevé par rapport à une composition chimique de Cl2 pour des débits et des conditions de traitement similaires, et l'absorption d'espèces d'oxygène à partir des films SnO2 à l'aide du SOCl2, ce qui permet de former un SO2 volatil et un SnCl4 volatil pour fournir des opérations sécurisées en termes d'humains et de sécurité. L'invention concerne en outre d'autres procédés, compositions chimiques et techniques.