DISPOSITIONING DEFECTS DETECTED ON EXTREME ULTRAVIOLET PHOTOMASKS

Methods and systems for photomask defect dispositioning are provided. One method includes directing energy to a photomask and detecting energy from the photomask. The photomask is configured for use at one or more extreme ultraviolet wavelengths of light. The method also includes detecting defects o...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SATAKE, Masaki, TOLANI, Vikram, SOUSA, Weston
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Methods and systems for photomask defect dispositioning are provided. One method includes directing energy to a photomask and detecting energy from the photomask. The photomask is configured for use at one or more extreme ultraviolet wavelengths of light. The method also includes detecting defects on the photomask based on the detected energy. In addition, the method includes generating charged particle beam images of the photomask at locations of the detected defects. The method further includes dispositioning the detected defects based on the charged particle beam images generated for the detected defects. Procédés et systèmes d'élimination de défauts de photo-masque. Un procédé consiste à diriger de l'énergie vers un photo-masque et à détecter de l'énergie provenant du photo-masque. Le photo-masque est conçu pour être utilisé à une ou plusieurs longueurs d'onde de lumière ultraviolette extrême. Le procédé consiste également à détecter des défauts sur le photo-masque sur la base de l'énergie détectée. De plus, le procédé consiste à générer des images de faisceau de particules chargées du photo-masque à des emplacements des défauts détectés. Le procédé consiste en outre à éliminer les défauts détectés sur la base des images de faisceau de particules chargées générées pour les défauts détectés.