IN-SITU INTEGRATED CHAMBERS

The systems and methods discussed herein are for a cluster tool that can be used for MOSFET device fabrication, including NMOS and PMOS devices. The cluster tool includes process chambers for pre-cleaning, metal-silicide or metal-germanide film formation, and surface protection operations such as capping and nitridation. The cluster tool can include one or more process chambers configured to form a source and a drain. The devices fabricated in the cluster tool are fabricated to have at least one protective layer formed over the metal-silicide or metal-germanide film to protect the film from contamination during handling and transfer to separate systems. L'invention concerne des systèmes et des procédés destinés à un outil de grappe qui peut servir à la fabrication de dispositifs MOSFET, notamment de dispositifs NMOS et PMOS. L'outil de grappe comprend des chambres de traitement de pré-nettoyage, de formation de film de siliciure métallique ou de germaniure métallique, et d'opérations de protection de surface telles qu'un surfaçage et une nitruration. L'outil de grappe peut comprendre une ou plusieurs chambres de traitement conçues pour former une source et un drain. Les dispositifs fabriqués dans l'outil de grappe sont fabriqués de façon à comporter au moins une couche de protection formée sur le film de siliciure métallique ou de germaniure métallique pour protéger le film contre une contamination pendant la manipulation et le transfert vers des systèmes séparés.