HIGH TEMPERATURE RF HEATER PEDESTALS

Semiconductor processing systems are described, which may include a substrate support assembly having a substrate support surface. Exemplary substrate support assemblies may include a ceramic heater defining the substrate support surface. The assemblies may include a ground plate on which the cerami...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: BENJAMINSON, David, LUBOMIRSKY, Dmitry, WANG, Xikun, PARK, Soonam
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Semiconductor processing systems are described, which may include a substrate support assembly having a substrate support surface. Exemplary substrate support assemblies may include a ceramic heater defining the substrate support surface. The assemblies may include a ground plate on which the ceramic heater is seated. The assemblies may include a stem with which the ground plate is coupled. The assemblies may include an electrode embedded within the ceramic heater at a depth from the substrate support surface. The chambers or systems may also include an RF match configured to provide an AC current and an RF power through the stem to the electrode. The RF match may be coupled with the substrate support assembly along the stem. The substrate support assembly and RF match may be vertically translatable within the semiconductor processing system. L'invention concerne des systèmes de traitement de semi-conducteurs qui peuvent comprendre un ensemble de support de substrat ayant une surface de support de substrat. Des exemples d'ensembles de support de substrat peuvent comprendre un élément de chauffage en céramique définissant la surface de support de substrat. Les ensembles peuvent comprendre une plaque de masse sur laquelle est logé l'élément de chauffage en céramique. Les ensembles peuvent comprendre une tige avec laquelle la plaque de masse est couplée. Les ensembles peuvent comprendre une électrode intégrée à l'intérieur du dispositif de chauffage en céramique à une profondeur à partir de la surface de support de substrat. Les chambres ou systèmes peuvent également comprendre une correspondance RF configurée pour fournir un courant alternatif et une puissance RF à travers la tige à l'électrode. La correspondance RF peut être couplée à l'ensemble support de substrat le long de la tige. L'ensemble de support de substrat et la correspondance RF peuvent être mobiles verticalement dans le système de traitement de semi-conducteur.