METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHING GAS

[Problem] To provide: a method for manufacturing a semiconductor device; and an etching gas, which are capable of suitably etching a film. [Solution] An embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, the method comprising etching a film by means of an etching gas containing a chain hydrocarbon compound represented by CxHyFz (C represents carbon, H represents hydrogen, F represents fluorine, x represents an integer of at least 3, and y and z each represent an integer of at least 1). Each terminal carbon atom in the carbon chain of CxHyFz is a chain hydrocarbon compound which binds to fluorine atoms but does not bind to hydrogen atoms. Le problème décrit par la présente invention est de fournir : un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ; et un gaz de gravure, qui sont capables de graver de manière appropriée un film. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, le procédé comprenant la gravure d'un film au moyen d'un gaz de gravure contenant un composé hydrocarboné à chaîne représenté par CxHyFz (C représente un carbone, H représente de l'hydrogène, F représente du fluor, x représente un nombre entier d'au moins 3, et y et z représentent chacun un nombre entier d'au moins 1). Chaque atome de carbone terminal dans la chaîne carbonée de CxHyFz est un composé hydrocarboné à chaîne qui se lie à des atomes de fluor mais ne se lie pas à des atomes d'hydrogène. ［課題］膜を好適にエッチングすることが可能な半導体装置の製造方法およびエッチングガスを提供する。 ［解決手段］一の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、ＣｘＨｙＦｚ（Ｃは炭素、Ｈは水素、Ｆはフッ素を表し、ｘは３以上の整数を表し、かつ、ｙおよびｚはそれぞれ１以上の整数を表す）で示される鎖状炭化水素化合物を含むエッチングガスを用いて膜をエッチングすることを含む。さらに、前記ＣｘＨｙＦｚの炭素鎖上の各末端の炭素原子は、水素原子およびフッ素原子のうちのフッ素原子のみと結合している鎖状炭化水素化合物である。