METHOD FOR DETERMINING OXYGEN OR CARBON IN SEMICONDUCTOR MATERIAL

Verfahren zur Bestimmung von Sauerstoff oder Kohlenstoff in Halbleitermaterial mittels Gasfusionsanalyse, umfassend das Reinigen eines Tiegels und einer Messprobe durch induktives Erhitzen der im Tiegel liegenden Messprobe auf eine Temperatur von nicht weniger als 1300 °C in einem Gasstrom aus Stickstoff oder einer Mischung aus Stickstoff und mindestens einem Edelgas und das Bestimmen des Sauerstoffgehalts oder des Kohlenstoffgehalts in der Messprobe aus Halbleitermaterial in einer Messkammer (2) einer Messvorrichtung (100), wo die Messprobe in einem Gasstrom mit gleicher Zusammensetzung induktiv erhitzt und im Tiegel (1) geschmolzen wird, und in der Messprobe enthaltener Sauerstoff mit Kohlenstoff oder in der Messprobe enthaltener Kohlenstoff mit Sauerstoff zu mindestens einem Oxidationsprodukt umgesetzt wird, dessen Menge bestimmt und als ein Maß für den in der Messprobe enthaltenen Sauerstoff oder Kohlenstoff verwendet wird. The invention relates to a method for determining oxygen or carbon in semiconductor material by means of gas fusion analysis, comprising: cleaning a crucible and a measurement sample by inductively heating the measurement sample present in the crucible to a temperature of not less than 1300 °C in a gas stream of nitrogen or a mixture of nitrogen and at least one inert gas; and determining the oxygen content or the carbon content in the measurement sample of semiconductor material in a measurement chamber (2) of a measurement device (100) in which the measurement sample is inductively heated in a gas stream having the same composition and melted in the crucible (1); and oxygen contained in the measurement sample is reacted with carbon or carbon contained in the measurement sample is reacted with oxygen to form at least one oxidation product, the amount of which is determined by and is used as a measurement of the oxygen or carbon contained in the measurement sample. L'invention concerne un procédé de détermination de la teneur en oxygène ou en carbone dans un matériau semi-conducteur par analyse par fusion de gaz, comprenant le nettoyage d'un creuset et d'un échantillon de mesure par chauffage inductif de l'échantillon de mesure situé dans le creuset à une température qui n'est pas inférieure à 1300 °C dans un courant gazeux constitué d'azote ou d'un mélange d'azote et d'au moins un gaz rare et la détermination de la teneur en oxygène ou de la teneur en carbone dans l'échantillon de mesure en matériau semi-conducteur dans une chambre