SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device, provided with: a semiconductor substrate (10) having a first main surface (11) and a second main surface (12) opposite each other, a measurement pad being disposed on the first main surface (11); and a stress film (20) disposed on the first main surface (11) and/or the second main surface (12), the stress film (20) producing a stress in the semiconductor substrate (10) that causes warpage, in which the first main surface (11) becomes concave, so that the warpage amount of the semiconductor substrate (10) at room temperature is 30 to 60 μm. The stress is produced by the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor substrate (10) and the stress film (20). La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur (10) ayant une première surface principale (11) et une seconde surface principale (12) opposées l'une à l'autre, un tampon de mesure étant disposé sur la première surface principale (11) ; et un film de contrainte (20) disposé sur la première surface principale (11) et/ou la seconde surface principale (12), le film de contrainte (20) produisant une contrainte dans le substrat semi-conducteur (10) qui provoque un gauchissement, la première surface principale (11) devenant concave, de telle sorte que la quantité de gauchissement du substrat semi-conducteur (10) à température ambiante soit de 30 à 60 µm. La contrainte est produite par la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat semi-conducteur (10) et le film de contrainte (20). 互いに対向する第１主面（１１）と第２主面（１２）を有し、第１主面（１１）に測定用パッドが配置された半導体基板（１０）と、第１主面（１１）と第２主面（１２）の少なくともいずれかに配置され、半導体基板（１０）の室温での反り量が３０μｍ～６０μｍとなるように第１主面（１１）が凹面となる反りを生じさせる応力を半導体基板（１０）に発生させる応力膜（２０）とを備え、半導体基板（１０）と応力膜（２０）との熱膨張係数の差により応力を発生させる。